セラミック

AlN積層基板・パッケージ

AlN積層基板・パッケージ

特長


AlN積層特長

積層構造のため自由な配線引き回しが可能です。またキャビティ構造も可能で複雑な構造に対応できます。
高発熱チップ実装時にはその熱を逃がすことが可能な高放熱AlN材料で構成されたパッケージです。

構造例(断面)


AlN積層構造例(断面)

用途


センサーパッケージ、表面実装パッケージ、MEMS用パッケージ、光通信パッケージ、LEDパッケージ等。

積層基板一般仕様


項目 AlN
メタライズVia W
内層 W
表層 W / Cu
めっき NiB / NiP-Au / NiP-Pd-Au(無電解めっき) / Ni-Au(電解めっき)

基板特性値


項目 単位 AlN
呈色 - 灰色
見掛密度 g/㎤ 3.30
機械的特性 抗折強度 MPa >350
熱的特性 熱膨張係数 ppm/℃ 4.6
熱伝導率 W/(m・K) 170
電気的特性 誘電率 1GHz - 8.8
体積固有抵抗 100Vdc Ω・㎝ >1014
絶縁破壊電圧 ㎸/100㎛ 20
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