薄膜回路基板
特長
薄膜回路基板は、実績ある各種セラミック素材と長年培ってきた薄膜メタライズ技術の融合から生まれた基板材料です。側面メタライズなど多様なパターン形成技術でカスタム対応が可能です。光ストレージ、光通信、ＲＦ用途の回路基板に使用されています。
用途
光通信関連における応用回路基板、高周波関連における回路基板
薄膜メタライズ一般仕様
| 項目 | 標準仕様 | ||
| 基板材料 | 材質 | アルミナ(Al2O3) | 99.5％、96％etc. |
| 窒化アルミニウム(AlN) | - | ||
| 誘電体基板 | ε38、ε93etc. | ||
| 厚み | 0.1㎜~1.5㎜ / 4mil~60mil | ||
| ワークサイズ | 50.8㎜□(2inch□)、2inch × 4inch□、3inch | ||
| 膜仕様 導体 | 膜構成/膜厚 | ドライエッチング | Ti/Pt/Au=0.06/0.2/0.3㎛~2.0㎛程度 |
| Ti/Pd/Au=0.06/0.2/2.0㎛~10.0㎛程度 | |||
| ウェットエッチング | Ti/Pd/Au=0.06/0.2/2.0㎛~10.0㎛程度 | ||
| 膜仕様 抵抗体 | シート抵抗値 | 25Ω/□、50Ω/□(±20%) | 特別仕様 (±5%) |
| T.C.R | -50±50ppm/°C | ||
| 膜組成 | 窒化タンタル(Ta2N) | ||
| 膜仕様 はんだ | 膜組成 | Au/Sn | 1.5㎛~10㎛ |
| 加工仕様（薄膜回路） | 最小線幅、線間 | ドライエッチング | L/S≧10㎛ |
| ウェットエッチング | L/S:20㎛/20㎛±10㎛ | ||
| 加工仕様（機械加工） | 切断精度 | ±50㎛ | |
| 項目 | 検査項目 | 測定検査機器等 |
| 品質保証 | 寸法 | 測長顕微鏡 |
| 膜厚 | 蛍光Ｘ線、表面粗さ計 | |
| 抵抗値 | デジタルマルチメーター | |
| 外観 | 実体顕微鏡 | |
| ワイヤー強度 | プルテスター |
標準仕様
| 項目 | 最小寸法 | |
| A 導体寸法 | 0.01㎜ | |
| B パターン間隔 | 0.01㎜ | |
| C 抵抗体寸法（幅） | 0.05㎜ | |
| D 抵抗体寸法（長さ） | 0.05㎜ | |
| E 基板幅-パターン間隔 | 0.05㎜ | |
| F パターン-穴間隔 | 0.1㎜ | |
| G スルーホール-パターン間隔 | 0.1㎜ | |
| H スルーホール | 1.5t㎜(t=板厚) | |
| I スルーホール間隔 | 0.25㎜ | |
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