セラミック

窒化アルミニウム基板

窒化アルミニウム基板

特長


窒化アルミニウム基板
  • アルミナに比べ、約7倍以上の高い熱伝導性を有します。

  • シリコンに近い熱膨張係数で、大型Siチップ搭載や熱サイクルに対して高い信頼性を実現。

  • 高い電気絶縁性を持ち、誘電率が小さいです。

  • アルミナ以上に優れた機械的強度です。

  • 溶融金属に対する優れた耐食性を持っています。

  • 不純物含有量が極めて少なく、無毒性、高純度です。

用途


放熱基板、LEDパッケージ用基板、半導体用基板、薄膜回路基板、パワー抵抗器用基板

特性値


項目 単位 AlN
AN-170 AN-200 AN-230
材料 - - AlN AlN AlN
呈色 - - 灰色 灰色 ベージュ色
見掛密度 - g/㎤ 3.30 3.28 3.25
表面粗さRa - µm 0.3 0.5 -
光反射率 0.3-0.4mmt % 35 - -
0.8-1.0mmt 25 - -
機械的特性 抗折強度 3点曲げ MPa 450 250 200
ヤング率 - GPa 320 - -
ビッカース硬度 - GPa 11 - -
破壊靭性 IF法 MPa・√m 3.0 - -
熱的特性 熱膨張係数 40-400°C 10-6/K 4.6 4.6 4.6
40-800°C 5.2 5.2 5.2
熱伝導率 25°C W/(m・K) 180 200 230
300°C 120 130 145
比熱 25°C J/(㎏・K) 720 720 720
電気的特性 誘電率 1MHz - 9.0 8.7 8.7
誘電損失 1MHz 10-3 0.2 0.2 0.2
体積固有抵抗 25°C Ω・㎝ >1014 >1014 >1014
絶縁破壊電圧 DC ㎸/㎜ >15 >15 >15

一般寸法公差


項目 単位 基板名
AN-170 AN-200 AN-230
外形寸法 inch(max) 5.5"×7.5" 5.0"×7.0" 5.0"×7.0"
公差 ±1% NLT:±0.1㎜ ±1% NLT:±0.1㎜ ±1% NLT:±0.1㎜
板厚 0.25~1.5 0.25~1.5 0.25~0.635
公差 ±10% NLT:±0.04㎜ ±10% NLT:±0.04㎜ ±10% NLT:±0.04㎜
Φ0.2~ Φ0.2~ Φ0.2~
公差 ±0.6% NLT:±0.05㎜ ±0.6% NLT:±0.05㎜ ±0.6% NLT:±0.05㎜
反り 0.003/㎜ 0.003/㎜ 0.003/㎜

加工について


MARUWAの窒化アルミニウム基板には、以下の加工が可能です。詳細についてはお問い合わせください。

  • レーザー加工

  • 積層

  • メタライズ加工

  • パンチング加工

  • 表面研磨

  • 機械加工

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