氮化硅基板
特征
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和氧化铝基板或氮化铝基板相比，约有两倍以上的抗弯强度。
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和氧化铝基板或ZTA基板相比、拥有三倍以上的热导率。
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高电绝缘性
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热膨胀系数与硅相近
用途
散热基板、功率电子电路基板
特性
| 项目 | 单位 | Si3N4 | ||
| SN-90 | ||||
| 材料 | - | - | Si3N4 | |
| 颜色 | - | - | 灰色 | |
| 表现密度 | - | g/㎤ | 3.22 | |
| 表面粗糙度Ra | - | µm | 0.4 | |
| 光反射率 | 0.3-0.4mmt | % | - | |
| 0.8-1.0mmt | - | |||
| 物理特性 | 抗折强度 | 三点弯曲 | MPa | 800 |
| 杨氏模量 | - | GPa | 310 | |
| 维氏硬度 | - | GPa | 15 | |
| 断裂韧度 | IF法 | MPa･√m | 6.5 | |
| 热特性 | 热膨胀系数 | 40-400°C | 10-6/K | 2.6 |
| 40-800°C | 3.1 | |||
| 热导率 | 25°C | W/(m･K) | 85 | |
| 300°C | - | |||
| 比热 | 25°C | J/(㎏･K) | 680 | |
| 电气特性 | 介电常数 | 1MHz | - | 7.8 |
| 介电损耗 | 1MHz | 10-3 | 0.4 | |
| 体积电阻 | 25°C | Ω･㎝ | >1014 | |
| 击穿电压 | DC | ㎸/㎜ | >15 | |
标准尺寸公差
| 项目 | 单位 | 规格 |
| 外形尺寸 | inch | 5.5" × 7.5" |
| 公差 | ±1.0% NLT:±0.1㎜ | |
| 板厚度 | ㎜ | 0.25~0.635 |
| 公差 | ±10% NLT:±0.04㎜ | |
| 翘曲 | ㎜ | 0.002/㎜ |
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