陶瓷材料

氮化铝积层基板・封装基座

氮化铝积层基板・封装基座

特征


氮化铝积层

因积层构造可以进行自由布线。还可以做腔结构实现更复杂构造要求。
由可以在实装高发热芯片时释放其热量的高导热氮化铝材料构成的封装。

结构示例(断面)


结构示例(断面)

用途


传感器封装,表面实装封装,MEMS用封装,光通信封装,LED封装等

积层基板一般规格


项目 AlN
金属化通孔 W
内层 W
表层 W / Cu
电镀 NiB / NiP-Au / NiP-Pd-Au(无电解镀) / Ni-Au(电解镀)

基板特性値


项目 単位 AlN
颜色 - 灰色
表现密度 g/㎤ 3.30
機械的特性 抗折强度 MPa >350
热特性 热膨胀系数 ppm/℃ 4.6
热导率 W/(m・K) 170
电气特性 介电常数 1GHz - 8.8
体积电阻 100Vdc Ω・㎝ >1014
击穿电压 ㎸/100㎛ 20
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