氮化铝陶瓷基板
特征
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与氧化铝相比，有约7倍以上的高导热性。
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接近硅的热膨胀系数，对装载大型硅芯片和热循环实现了高可靠性。
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拥有高电绝缘性，介电常数小。
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有比氧化铝更好的机械强度。
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对熔融金属有良好的耐蚀性
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杂质含有量极少，无毒性，纯度高。
用途
散热基板、LED封装用基板、半导体用基板、薄膜电路基板、功率电阻用基板
特性値
| 项目 | 单位 | AlN | ||||
| AN-170 | AN-200 | AN-230 | ||||
| 材料 | - | - | AlN | AlN | AlN | |
| 颜色 | - | - | 灰色 | 灰色 | 米色 | |
| 表现密度 | - | g/㎤ | 3.30 | 3.30 | 3.30 | |
| 表面粗糙度Ra | - | µm | 0.2 | 0.3 | 0.3 | |
| 光反射率 | 0.3-0.4mmt | % | 35 | - | - | |
| 0.8-1.0mmt | 25 | - | - | |||
| 物理特性 | 抗折强度 | 按点弯曲 | MPa | 450 | 400 | 350 |
| 杨氏模量 | - | GPa | 320 | - | - | |
| 维氏硬度 | - | GPa | 11 | 11 | 11 | |
| 断裂韧度 | IF法 | MPa･√m | 3.0 | 2.6 | 2.4 | |
| 热特性 | 热膨胀系数 | 40-400°C | 10-6/K | 4.6 | 4.6 | 4.6 |
| 40-800°C | 5.2 | 5.2 | 5.2 | |||
| 热导率 | 25°C | W/(m･K) | 180 | 200 | 230 | |
| 300°C | 120 | 130 | 145 | |||
| 比热 | 25°C | J/(㎏･K) | 720 | 720 | 720 | |
| 电气特性 | 介电常数 | 1MHz | - | 8.5 | 8.5 | 8.5 |
| 介电损耗 | 1MHz | 10-3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | |
| 体积电阻 | 25°C | Ω･㎝ | >1014 | >1014 | >1013 | |
| 击穿电压 | DC | ㎸/㎜ | >15 | >15 | >15 | |
一般尺寸公差
| 项目 | 单位 | 基板名 | ||
| AN-170 | AN-200 | AN-230 | ||
| 外形尺寸 | inch(max) | 5.5"×7.5" | 5.5"×7.5" | 5.0"×7.0" |
| 公差 | ±1% NLT:±0.1㎜ | ±1% NLT:±0.1㎜ | ±1% NLT:±0.1㎜ | |
| 板厚度 | ㎜ | 0.25~1.5 | 0.25~1.5 | 0.25~1.0 |
| 公差 | ±10% NLT:±0.04㎜ | ±10% NLT:±0.04㎜ | ±10% NLT:±0.04㎜ | |
| 孔 | ㎜ | Φ0.2~ | Φ0.2~ | Φ0.2~ |
| 公差 | ±0.05㎜ | ±0.05㎜ | ±0.05㎜ | |
| 翘曲 | ㎜ | 0.002/㎜ | 0.002/㎜ | 0.002/㎜ |
加工
MARUWA的氮化铝基板可进行以下加工。关于详细的
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激光加工
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积层
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金属化加工
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冲压加工
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表面研磨
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机械加工
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