電子部品/デバイス

MIB3010M-Wシリーズ

MIB3010M-Wシリーズ

特長


MIB3010M-Wシリーズ
小型・低背のパワーインダクタ MIBシリーズは閉磁路構造を採用したパワーインダクタです。シールドコア材にフェライトを採用し、低輻射ノイズを実現しました。
  • シールドコアによる閉磁路構造と低損失材の採用により高効率を実現

  • 端子電極部分に金めっきを採用したことによる、優れたはんだ耐熱性・はんだ付け性

  • 金めっき電極と熱圧着技術を融合して自動化ラインを構築、高品質を実現

  • RoHS指令適合製品

用途


小型DC/DCコンバータ昇圧/降圧回路

構造


MIB3010M-Wシリーズ構造イメージ

寸法

【MIB3010M-Wシリーズ】

推奨ランドパターン


形名および定格一覧


(代表値/Typical)
形名 インダクタンス L [µH] ※1 直流抵抗 Rdc [Ω] ※2 定格電流 Idc1 [A] ※3 定格電流 Idc2 [A] ※4
MIB3010M-1R0W 1.0±30% 0.051 2.07 2.24
MIB3010M-2R2W 2.2±20% 0.089 1.36 1.63
MIB3010M-3R3W 3.3±20% 0.13 1.15 1.3
MIB3010M-4R7W 4.7±20% 0.19 0.93 1.05
MIB3010M-6R8W 6.8±20% 0.23 0.85 0.98
MIB3010M-100W 10.0±20% 0.36 0.65 0.79

※1 Ta=25°C、Idc=0A、測定周波数100kHz / 1V

※2 Ta=25°C

※3 Idc1 インダクタンス変化率 |△L/L|≦30%

※4 Idc2 温度上昇 △T≦40°C

直流重畳特性


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