モバイル関連

  • アンテナブロック、基板

    カーナビ、携帯電話用のアンテナや、Bluetooth®に使用されます。カーナビ用GPSアンテナ向け基板は、25mm角及び20mm角で製造しています。携帯電話用GPSアンテナ向け基板は9~12mm角で製造。アイソレータ用コンデンサ向け基板は50mm角サイズで各種材料を取り揃えています。

  • FSFシリーズ(NFC、ワイヤレス充電、RFID用)

    FSFシリーズ(FLEX-μ®)は、薄く、柔軟性を持つ焼結体フェライトシートです。高透磁率を実現し、金属の影響を抑える効果が高まりました。これにより、各種用途(NFC・ワイヤレス充電・RFID等)において特性の向上や通信距離の拡大が可能となりました。 ※FLEX-μ®は、MARUWAの登録商標です。 ■優れた電磁気的特性  各種用途において、特性の向上、通信距離の拡大が可能です。 FSF131・151は、13.56MHzで透磁率(μ')が約130~150と比較的高く、かつ損失(μ'')が低いため、NFC・RFIDの高性能化に貢献します。また、FSF201・501は100-200kHzで透磁率(μ')が200-500であり、ワイヤレス充電に特に適しています。 ■柔軟な薄型シート 焼結体フェライトを樹脂フィルム(PETフィルムと粘着テープ)でラミネートした構造をもちます。さらに、ミリ単位の幅でスリットが入っているためシートが柔軟です。透磁率が高く薄型で、小型携帯機器に最適です。

  • CNAシリーズ

    3216サイズの1チップに3端子コンデンサを4素子内蔵した、アレイタイプのチップ形3端子コンデンサです。多数の信号ラインでノイズ対策部品実装時の省スペース化、及び実装コストの削減に効果を発揮します。クロストークを抑えた設計で、チップには共通グランド電極を内蔵しているため、両端のグランドで全ラインのグランドを確実に取ることができます。

  • 電圧制御発振器(VCO)

    VCO(Voltage Controlled Oscillator:電圧制御発振器)は、長年培ってきたセラミック技術を応用して開発された高周波モジュールです。 外形サイズ・対応周波数・電圧制御範囲など要望に応じた仕様の発振回路を設計し、製造まで自社で一貫して行っています。超小型モデルの設計や、MARUWAの誘電体セラミック(同軸共振器)を用いた高CN比モデルの設計等、カスタム対応も可能です。

  • MIB6040M-Wシリーズ

    大電流用のパワーインダクタ MIBシリーズは閉磁路構造を採用したパワーインダクタです。シールドコア材にフェライトを採用し、低輻射ノイズを実現しました。 ●シールドコアによる閉磁路構造と低損失材の採用により高効率を実現 ●端子電極部分に金めっきを採用したことによる、優れたはんだ耐熱性・はんだ付け性 ●金めっき電極と熱圧着技術を融合して自動化ラインを構築、高品質を実現 ●RoHS指令適合製品

  • MIB6020M-Wシリーズ

    大電流用の低背パワーインダクタ MIBシリーズは閉磁路構造を採用したパワーインダクタです。シールドコア材にフェライトを採用し、低輻射ノイズを実現しました。 ●シールドコアによる閉磁路構造と低損失材の採用により高効率を実現 ●端子電極部分に金めっきを採用したことによる、優れたはんだ耐熱性・はんだ付け性 ●金めっき電極と熱圧着技術を融合して自動化ラインを構築、高品質を実現 ●RoHS指令適合製品

  • MIB4020M-Wシリーズ

    小型・低背のパワーインダクタ MIBシリーズは閉磁路構造を採用したパワーインダクタです。シールドコア材にフェライトを採用し、低輻射ノイズを実現しました。 ●シールドコアによる閉磁路構造と低損失材の採用により高効率を実現 ●端子電極部分に金めっきを採用したことによる、優れたはんだ耐熱性・はんだ付け性 ●金めっき電極と熱圧着技術を融合して自動化ラインを構築、高品質を実現 ●RoHS指令適合製品

  • MIB4012M-Wシリーズ

    小型・低背のパワーインダクタ MIBシリーズは閉磁路構造を採用したパワーインダクタです。シールドコア材にフェライトを採用し、低輻射ノイズを実現しました。 ●シールドコアによる閉磁路構造と低損失材の採用により高効率を実現 ●端子電極部分に金めっきを採用したことによる、優れたはんだ耐熱性・はんだ付け性 ●金めっき電極と熱圧着技術を融合して自動化ラインを構築、高品質を実現 ●RoHS指令適合製品

  • MIB4010M-Wシリーズ

    小型・低背のパワーインダクタ MIBシリーズは閉磁路構造を採用したパワーインダクタです。シールドコア材にフェライトを採用し、低輻射ノイズを実現しました。 ●シールドコアによる閉磁路構造と低損失材の採用により高効率を実現 ●端子電極部分に金めっきを採用したことによる、優れたはんだ耐熱性・はんだ付け性 ●金めっき電極と熱圧着技術を融合して自動化ラインを構築、高品質を実現 ●RoHS指令適合製品

  • MIB3012M-Wシリーズ

    小型・低背のパワーインダクタ MIBシリーズは閉磁路構造を採用したパワーインダクタです。シールドコア材にフェライトを採用し、低輻射ノイズを実現しました。 ●シールドコアによる閉磁路構造と低損失材の採用により高効率を実現 ●端子電極部分に金めっきを採用したことによる、優れたはんだ耐熱性・はんだ付け性 ●金めっき電極と熱圧着技術を融合して自動化ラインを構築、高品質を実現 ●RoHS指令適合製品

  • MIB2010M-Wシリーズ

    小型・低背のパワーインダクタ MIBシリーズは閉磁路構造を採用したパワーインダクタです。シールドコア材にフェライトを採用し、低輻射ノイズを実現しました。 ●シールドコアによる閉磁路構造と低損失材の採用により高効率を実現 ●端子電極部分に金めっきを採用したことによる、優れたはんだ耐熱性・はんだ付け性 ●金めっき電極と熱圧着技術を融合して自動化ラインを構築、高品質を実現 ●RoHS指令適合製品

  • MIB2008M-Wシリーズ

    小型・低背のパワーインダクタ MIBシリーズは閉磁路構造を採用したパワーインダクタです。シールドコア材にフェライトを採用し、低輻射ノイズを実現しました。 ●シールドコアによる閉磁路構造と低損失材の採用により高効率を実現 ●端子電極部分に金めっきを採用したことによる、優れたはんだ耐熱性・はんだ付け性 ●金めっき電極と熱圧着技術を融合して自動化ラインを構築、高品質を実現 ●RoHS指令適合製品

  • MIB3010M-Wシリーズ

    小型・低背のパワーインダクタ MIBシリーズは閉磁路構造を採用したパワーインダクタです。シールドコア材にフェライトを採用し、低輻射ノイズを実現しました。 ●シールドコアによる閉磁路構造と低損失材の採用により高効率を実現 ●端子電極部分に金めっきを採用したことによる、優れたはんだ耐熱性・はんだ付け性 ●金めっき電極と熱圧着技術を融合して自動化ラインを構築、高品質を実現 ●RoHS指令適合製品

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