デジタル機器/家電関連

  • 薄膜回路基板

    薄膜回路基板は、実績ある各種セラミック素材と長年培ってきた薄膜メタライズ技術の融合から生まれた基板材料です。側面メタライズなど多様なパターン形成技術でカスタム対応が可能です。光ストレージ、光通信、RF用途の回路基板に使用されています。

  • アンテナブロック、基板

    カーナビ、携帯電話用のアンテナや、Bluetooth®に使用されます。カーナビ用GPSアンテナ向け基板は、25mm角及び20mm角で製造しています。携帯電話用GPSアンテナ向け基板は9~12mm角で製造。アイソレータ用コンデンサ向け基板は50mm角サイズで各種材料を取り揃えています。

  • FSFシリーズ(NFC、ワイヤレス充電、RFID用)

    FSFシリーズ(FLEX-μ®)は、薄く、柔軟性を持つ焼結体フェライトシートです。高透磁率を実現し、金属の影響を抑える効果が高まりました。これにより、各種用途(NFC・ワイヤレス充電・RFID等)において特性の向上や通信距離の拡大が可能となりました。 ※FLEX-μ®は、MARUWAの登録商標です。 ■優れた電磁気的特性  各種用途において、特性の向上、通信距離の拡大が可能です。 FSF131・151は、13.56MHzで透磁率(μ')が約130~150と比較的高く、かつ損失(μ'')が低いため、NFC・RFIDの高性能化に貢献します。また、FSF201・501は100-200kHzで透磁率(μ')が200-500であり、ワイヤレス充電に特に適しています。 ■柔軟な薄型シート 焼結体フェライトを樹脂フィルム(PETフィルムと粘着テープ)でラミネートした構造をもちます。さらに、ミリ単位の幅でスリットが入っているためシートが柔軟です。透磁率が高く薄型で、小型携帯機器に最適です。

  • RSシリーズ

    RSシリーズ(スタック形積層セラミックコンデンサ)は、基板上の実装面積を広げずに高容量化を図るため、MARUWAのチップ形積層セラミックコンデンサを積み重ねて一体化した製品です。アルミ電解コンデンサの置き換えとして、小型高周波SW電源での使用に適しています。

  • CVGシリーズ

    酸化亜鉛(ZnO)系の材料を使用し、非直線形・応答性に優れた産業機器用チップ形積層バリスタです。静電容量・バリスタ電圧の多彩なラインナップで、ニーズに合った製品を選んでいただけます。テーピングでの供給が可能で、自動実装対応としても最適です。

  • CNHシリーズ

    DC電源ラインのディカップリングや高周波ノイズ対策に最適な、チップ形3端子コンデンサです。超小型から高容量品までのラインナップを取り揃えており、より広い周波数帯域でのノイズ除去に効果を発揮します。方向性がなく取扱いが容易です。CNH20, 31, 30, 32シリーズは6Aまでの大電流対応のため、DC電源ラインのEMI対策に最適です。また、チップ形積層セラミックコンデンサの技術を応用した3端子構造でSMT(表面実装技術)に対応しています。

  • CNAシリーズ

    3216サイズの1チップに3端子コンデンサを4素子内蔵した、アレイタイプのチップ形3端子コンデンサです。多数の信号ラインでノイズ対策部品実装時の省スペース化、及び実装コストの削減に効果を発揮します。クロストークを抑えた設計で、チップには共通グランド電極を内蔵しているため、両端のグランドで全ラインのグランドを確実に取ることができます。

  • DPMシリーズ

    DPMシリーズは、デジタルオーディオパワーアンプ周辺部品のトータルコスト低減、部品点数削減を目的とした専用インピーダンス素子です。 材料と構造を最適化することにより、低歪み率(THD+N)を実現しています。 ●LC Filterと同等の歪み率(THD+N)を実現しています(DPM02)。 ●許容電流が大きいため~30W程度のパワーアンプのフィルタレスに対応可能です。 ●RoHS対応済みです。

  • DLMシリーズ

    小型ながら許容電流が大きく大電流のDCラインに使用でき、π形回路構成により広帯域で大きな挿入損失特性が得られます。バリスタ複合タイプは静電気サージや開閉サージにも優れた効果があります。また、端子電極部分に金めっきを施しており、はんだ耐熱性、はんだ付け性に優れています。

  • PMFシリーズ

    PMFシリーズはフェライト原料をコアとしたSMD(表面実装)タイプのノイズ対策部品です。各電子機器のDC電源ラインにおいて、ノイズ抑制効果に優れた特性を持ちます。積層セラミックコンデンサと組み合わせることによって広帯域のノイズ対策が可能です。 ■無機材料により構成されたモノリシック構造のため高信頼性です。 ■小形でありながら許容電流が大きく、大電流のDCラインに使用できます。 ■端子電極部分に錫めっきを施しており、はんだ耐熱性、はんだ付け性に優れています。 ■製品高さ寸法が低く、高密度化に適しています。 ■RoHS対応済みです。

  • DC電源ライン用ノイズフィルタ  PMZシリーズ

    PMZシリーズはフェライト原料をコアとしたSMD(表面実装)タイプのノイズ対策部品です。 各電子機器のDC電源ラインにおいて、ノイズ抑制効果に優れた特性を持ちます。 ■無機材料により構成されたモノリシック構造のため高信頼性です。 ■小形でありながら許容電流が大きく、大電流のDCラインに使用できます。 ■端子電極部分に錫めっきを施しており、はんだ耐熱性、はんだ付け性に優れています。 ■製品高さ寸法が低く、高密度化に適しています。 ■RoHS対応済みです。

  • DCMシリーズ

    DNMシリーズを元に小型化および表面実装を可能にした、電源ライン用ブロック形EMIフィルタで、実装面積を大幅に削減できます。自己共振周波数の高い貫通形セラミックコンデンサと大容量積層セラミックコンデンサ、およびインピーダンス素子を組み合わせた構造を持つため、広帯域で大きな挿入損失特性が得られます。共通DC電源ラインにおいて、1個のブロックでプラス・マイナス両ラインを効率よくEMI対策できます。また、端子電極部分に金めっきを施しており、はんだ耐熱性、はんだ付け性に優れています。

  • 電源ライン用

    従来の信号ライン用チップビーズを低Rdc化し、許容電流を大幅にアップさせ、ICなどの電源ラインにおけるノイズ対策を可能にしたチップビーズです。無機材料によるモノリシック構造で信頼性が高く、閉磁路構造のためクロストークが発生せず高密度実装が可能です。ノイズ伝導経路に直列に挿入することで、電源からのノイズの侵入・電源ラインへのノイズの漏洩を効果的に減衰、抑制できます。ニッケル、錫めっき構造の外部電極により、はんだ耐熱性およびはんだ付け性に優れています。電源ラインの容量により最大定格電流2.5A、1.0A、6Aの3タイプをラインナップしています。v

  • MIB6040M-Wシリーズ

    大電流用のパワーインダクタ MIBシリーズは閉磁路構造を採用したパワーインダクタです。シールドコア材にフェライトを採用し、低輻射ノイズを実現しました。 ●シールドコアによる閉磁路構造と低損失材の採用により高効率を実現 ●端子電極部分に金めっきを採用したことによる、優れたはんだ耐熱性・はんだ付け性 ●金めっき電極と熱圧着技術を融合して自動化ラインを構築、高品質を実現 ●RoHS指令適合製品

  • MIB6020M-Wシリーズ

    大電流用の低背パワーインダクタ MIBシリーズは閉磁路構造を採用したパワーインダクタです。シールドコア材にフェライトを採用し、低輻射ノイズを実現しました。 ●シールドコアによる閉磁路構造と低損失材の採用により高効率を実現 ●端子電極部分に金めっきを採用したことによる、優れたはんだ耐熱性・はんだ付け性 ●金めっき電極と熱圧着技術を融合して自動化ラインを構築、高品質を実現 ●RoHS指令適合製品

  • MIB4020M-Wシリーズ

    小型・低背のパワーインダクタ MIBシリーズは閉磁路構造を採用したパワーインダクタです。シールドコア材にフェライトを採用し、低輻射ノイズを実現しました。 ●シールドコアによる閉磁路構造と低損失材の採用により高効率を実現 ●端子電極部分に金めっきを採用したことによる、優れたはんだ耐熱性・はんだ付け性 ●金めっき電極と熱圧着技術を融合して自動化ラインを構築、高品質を実現 ●RoHS指令適合製品

  • MIB4012M-Wシリーズ

    小型・低背のパワーインダクタ MIBシリーズは閉磁路構造を採用したパワーインダクタです。シールドコア材にフェライトを採用し、低輻射ノイズを実現しました。 ●シールドコアによる閉磁路構造と低損失材の採用により高効率を実現 ●端子電極部分に金めっきを採用したことによる、優れたはんだ耐熱性・はんだ付け性 ●金めっき電極と熱圧着技術を融合して自動化ラインを構築、高品質を実現 ●RoHS指令適合製品

  • MIB4010M-Wシリーズ

    小型・低背のパワーインダクタ MIBシリーズは閉磁路構造を採用したパワーインダクタです。シールドコア材にフェライトを採用し、低輻射ノイズを実現しました。 ●シールドコアによる閉磁路構造と低損失材の採用により高効率を実現 ●端子電極部分に金めっきを採用したことによる、優れたはんだ耐熱性・はんだ付け性 ●金めっき電極と熱圧着技術を融合して自動化ラインを構築、高品質を実現 ●RoHS指令適合製品

  • MIB3012M-Wシリーズ

    小型・低背のパワーインダクタ MIBシリーズは閉磁路構造を採用したパワーインダクタです。シールドコア材にフェライトを採用し、低輻射ノイズを実現しました。 ●シールドコアによる閉磁路構造と低損失材の採用により高効率を実現 ●端子電極部分に金めっきを採用したことによる、優れたはんだ耐熱性・はんだ付け性 ●金めっき電極と熱圧着技術を融合して自動化ラインを構築、高品質を実現 ●RoHS指令適合製品

  • MIB2010M-Wシリーズ

    小型・低背のパワーインダクタ MIBシリーズは閉磁路構造を採用したパワーインダクタです。シールドコア材にフェライトを採用し、低輻射ノイズを実現しました。 ●シールドコアによる閉磁路構造と低損失材の採用により高効率を実現 ●端子電極部分に金めっきを採用したことによる、優れたはんだ耐熱性・はんだ付け性 ●金めっき電極と熱圧着技術を融合して自動化ラインを構築、高品質を実現 ●RoHS指令適合製品

  • MIB2008M-Wシリーズ

    小型・低背のパワーインダクタ MIBシリーズは閉磁路構造を採用したパワーインダクタです。シールドコア材にフェライトを採用し、低輻射ノイズを実現しました。 ●シールドコアによる閉磁路構造と低損失材の採用により高効率を実現 ●端子電極部分に金めっきを採用したことによる、優れたはんだ耐熱性・はんだ付け性 ●金めっき電極と熱圧着技術を融合して自動化ラインを構築、高品質を実現 ●RoHS指令適合製品

  • MIB3010M-Wシリーズ

    小型・低背のパワーインダクタ MIBシリーズは閉磁路構造を採用したパワーインダクタです。シールドコア材にフェライトを採用し、低輻射ノイズを実現しました。 ●シールドコアによる閉磁路構造と低損失材の採用により高効率を実現 ●端子電極部分に金めっきを採用したことによる、優れたはんだ耐熱性・はんだ付け性 ●金めっき電極と熱圧着技術を融合して自動化ラインを構築、高品質を実現 ●RoHS指令適合製品

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