電子部品/デバイス

MIB2510M-Wシリーズ

MIB2510M-Wシリーズ

特長


MIB2510M-Wシリーズ
  • 閉磁路 小型低背パワーインダクタ 2.5mm×2.5mm(Typ) ×h1.0mm(Max)

  • 閉磁路構造による低ノイズ,少漏れ磁束

用途


小型DC/DCコンバータ昇圧/降圧回路用

構造


MIB2510M-Wシリーズ構造イメージ

寸法

【MIB2510M-Wシリーズ】

推奨ランドパターン


形名および定格一覧


(代表値/Typical)
部品番号 インダクタンス L [µH] ※1 直流抵抗 Rdc [Ω] ※2 定格電流 Idc1 [A] ※3 使用温度範囲 Ta[°C] ※4
MIB2510M-R47W 0.47±30% 0.041 2.58 / 2.43 -40~+125
MIB2510M-R68W 0.68±30% 0.05 2.14 / 2.18 -40~+125
MIB2510M-1R0W 1.0±30% 0.061 1.91 / 2.09 -40~+125
MIB2510M-2R2W 2.2±20% 0.1 1.28 / 1.64 -40~+125
MIB2510M-3R3W 3.3±20% 0.17 1.05 / 1.26 -40~+125
MIB2510M-4R7W 4.7±20% 0.21 0.91 / 1.03 -40~+125
MIB2510M-6R8W 6.8±20% 0.32 0.70 / 0.81 -40~+125
MIB2510M-100W 10.0±20% 0.53 0.57 / 0.61 -40~+125
MIB2510M-220W 22.0±20% 1.16 0.38 / 0.41 -40~+125

※1 Ta=25°C、Idc=0A

※2 Ta=25°C

※3 Idc1 インダクタンス変化率 |△L/L|≦30% Idc2:温度上昇Temperature rise △T≦40°C

※4 自己発熱含む

直流重畳特性


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