電子部品/デバイス

MIB10020M-Wシリーズ

MIB10020M-Wシリーズ

特長


MIB10020M-Wシリーズ
  • 閉磁路 小型低背パワーインダクタ 10.0mm×10.0mm(Typ)×h2.0mm(Max)

  • 閉磁路構造による低ノイズ,少漏れ磁束

用途


DC/DCコンバータ昇圧/降圧回路用

構造


MIB10020M-Wシリーズ構造イメージ

寸法

【MIB10020M-Wシリーズ】

推奨ランドパターン


形名および定格一覧


(代表値/Typical)
部品番号 インダクタンス L [µH] ※1 直流抵抗 Rdc [Ω] ※2 定格電流 Idc1 [A] ※3 使用温度範囲 Ta[°C] ※4
MIB10020M-3R0W 3.0±30% 0.027 4.51 / 4.20 -40~+125
MIB10020M-4R7W 4.7±30% 0.035 3.89 / 3.63 -40~+125
MIB10020M-6R8W 6.8±30% 0.052 3.15 / 3.02 -40~+125
MIB10020M-100W 10.0±20% 0.074 2.54 / 2.51 -40~+125
MIB10020M-150W 15.0±20% 0.099 2.12 / 2.13 -40~+125
MIB10020M-220W 22.0±20% 0.15 1.69 / 1.72 -40~+125
MIB10020M-470W 47.0±20% 0.3 1.19 / 1.18 -40~+125
MIB10020M-101W 100.0±20% 0.56 0.83 / 0.88 -40~+125

※1 Ta=25°C、Idc=0A

※2 Ta=25°C

※3 Idc1 インダクタンス変化率 |△L/L|≦30% Idc2:温度上昇Temperature rise △T≦40°C

※4 自己発熱含む

直流重畳特性


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