電子部品/デバイス

MIB2008M-Wシリーズ

MIB2008M-Wシリーズ

特長


MIB2008M-Wシリーズ
小型・低背のパワーインダクタ MIBシリーズは閉磁路構造を採用したパワーインダクタです。シールドコア材にフェライトを採用し、低輻射ノイズを実現しました。
  • シールドコアによる閉磁路構造と低損失材の採用により高効率を実現

  • 端子電極部分に金めっきを採用したことによる、優れたはんだ耐熱性・はんだ付け性

  • 金めっき電極と熱圧着技術を融合して自動化ラインを構築、高品質を実現

  • RoHS指令適合製品

用途


小型DC/DCコンバータ昇圧/降圧回路

構造


MIB2008M-Wシリーズ 構造イメージ

寸法

【MIB2008M-Wシリーズ】

推奨ランドパターン


形名および定格一覧


(代表値/Typical)
形名 インダクタンス L [µH] ※1 直流抵抗 Rdc [Ω] ※2 定格電流 Idc1 [A] ※3 定格電流 Idc2 [A] ※4
MIB2008M-R50W 0.5±30% 0.086 1.71 1.61
MIB2008M-1R0W 1.0±30% 0.11 1.43 1.39
MIB2008M-2R2W 2.2±20% 0.25 0.93 0.92
MIB2008M-3R3W 3.3±20% 0.33 0.76 0.83
MIB2008M-4R7W 4.7±20% 0.53 0.61 0.61

※1 Ta=25°C、Idc=0A、測定周波数100kHz / 1V

※2 Ta=25°C

※3 Idc1 インダクタンス変化率 |△L/L|≦30%

※4 Idc2 温度上昇 △T≦40°C

直流重畳特性


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