陶瓷材料
AlN
MARUWA氮化铝（AlN）产品
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氮化铝（AlN）具有优异的导热性，高电绝缘性和与硅相似的热膨胀性等特性，可作为高导热性基板材料，应用于功率晶体管模块基板，激光二极管安装基板，IC封装。
此外，由于其对卤素气体的优异耐腐蚀性，它还能作为半导体制造设备的零部件使用。
MARUWA不仅致力于从材料开发，板材成型到材料烧制的生产一体化，还可以结合层压、薄膜、金属化，同时烧制和电路设计等技术，针对顾客实际需求，提供定制产品。
此外，作为陶瓷材料方面的专家，本公司能在包括高频电路在内的各个领域提供令人满意的提案。
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MARUWA独立研制的氮化铝（AlN）产品阵容
氮化铝陶瓷基板（AlN）
目前公司以在氧化铝基板制造中培养的材料技术，板材成型和烧制技术为基础，建立了稳定的氮化铝（AlN）大规模生产体系。热导率、强度和厚度等均能根据客户需求调整。
薄膜溅射
MARUWA拥有从基板成型到溅射加工的一体化生产线。从而实现了对产品各个环节的一体化品控管理，同时还能够提供高品质的金属化加工。
厚膜电路图案印刷
虽然是氧化铝基板上的一般加工方法，但厚膜印刷·Via填充也可以应用于氮化铝（AlN）基板。 这得益于MARUWA融汇了板材成型和金属化两项技术，形成了自身独有技术。
电镀技术
结合薄膜技术和厚膜技术，通过电镀形成电极。 拥有薄膜和厚膜加工技术的MARUWA，凭借公司一体化生产保证了电镀电极的高品质。
共烧积层技术
共烧积层技术指烧制之前，在原始片材上进行烧制，金属化，钻孔，电路形成等加工，叠层共烧的技术。这是精通AlN的MARUWA独立技术。
氮化铝（AlN）填料
MARUWA精通陶瓷材料技术，开发的导热填料充分利用了氮化铝（AlN）的原始材料特性，实现了材料的高导热性，高纯度，高填充性和形状变化。
公司可根据客户的用途与目的，提供氮化铝（AlN）填料提案。
用于半导体制造的氮化铝（AlN）部件
活用氮化铝（AlN）高导热率和高耐腐蚀性，将其用于半导体制造设备部件。 MARUWA以培育多年的材料技术为基础，使用适合产品使用和形状生产的原始烧结工艺，生产半导体制造设备和医疗设备零件。
关于商品的报价、式样等各种问题，请随时联系我们。同时我们也支持各种商品定制，请联系我们获取更多详细信息。
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