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【高温焼成セラミック多層基板 HTCC (High Temperature Co-fired Ceramic)】
■特長
高信頼性・高密度・多機能な各種用途の製品を実現します。
・はんだ耐熱性に優れためっき電極は、ファインピッチCSPに対応します。
・めっき電極はAu/Niを選択でき、ワイヤーボンディングに対応します。
・熱伝導性に優れたアルミナセラミックは、高信頼性ベアチップ実装に対応します。
・積層アルミナセラミックは、自由度の高い大規模配線に対応します。
・10mΩ/□配線抵抗値と堅牢な基板は、ヒーター機能にも対応します。
・キャビティ構造は、任意の封止に対応します。
・基板裏面の印刷抵抗体は放熱媒体を兼ね、実装性が飛躍的に向上します。 |
■用途
・セラミックヒーター
・光・パワー素子パッケージ
・センサーパッケージ
・SMDパッケージ
・パワー回路混在ハイブリッドIC
・マザーボード代替小型モジュール |
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■特性
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Item
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HTCC |
unit |
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Type
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WHITE |
BROWN |
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比誘電率
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9.0 |
9.5 |
@1GHz |
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f・Q
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− |
− |
GHz |
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τf
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− |
− |
ppm/℃ |
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密度
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3.6 |
3.8 |
g/cm3 |
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熱膨張係数
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7.0 |
7.3 |
ppm/℃ |
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熱伝導率
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16 |
15 |
W/m・K |
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抗折強度
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＞350 |
＞350 |
MPa |
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体積固有抵抗
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＞1012 |
＞1012 |
Ω・cm(100VDC) |
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絶縁耐圧
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＞10 |
＞10 |
KV/100μm |
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■設計ルール
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Item
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HTCC |
unit |
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Grade
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Special |
Standard |
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最大基板サイズ
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150mm□ |
| 市場用途に適合した設計ルールを遵守し製品提供いたします |
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基板精度
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0.25% |
0.50% |
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層厚み
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0.2/0.3/0.4 |
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反り
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0.15% |
0.35% |
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内層導体抵抗
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W/Mo: 10mΩ/□ |
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表層導体抵抗
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W: 10mΩ/□ |
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めっき
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Ni or Au |
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キャビティー
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Non |
Possible |
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内部素子
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Non |
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厚膜抵抗
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Possible |
Non |
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