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MARUWAの薄膜基板は、実績ある各種セラミック素材と、長年培ってきた薄膜メタライズ技術の融合の結果生まれた基板材料です。それ故、ユーザー要求に応じた素材の持つ物理的、化学的特性に加え、薄膜メタライズによる高集積度と電気特性を満たした高度な回路基板が可能となりました。 |
■用途
弊社薄膜基板はベースとなる各セラミックから薄膜形成までを自社で一貫生産しております。
これにより安定した品質、低コスト、短納期の実現を可能としております。
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光情報(光ストレージ)、光通信関連 |
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弊社の窒化アルミニウム(AlN)は、その高い熱伝導率により今後求められる高放熱要求に対応することができ、また、Si半導体や化合物半導体と非常に近い熱膨張係数を持っていることから、光市場での応用回路基板として高い実績を持っております。 |
| ・ |
高周波関連 |
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弊社ではアルミナ(Al2O3)及び低〜高誘電体材料まで、幅広い誘電体材料を製造しております。これらに長年培ってきた薄膜成膜技術を融合させることにより、RF用途の回路基板や単板コンデンサ(SLC)など幅広い応用が可能となります。 |
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■Outline construction of MARUWA AlN submount
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■Some kinds of MARUWA submount with metalization
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■セラミック基材とその一般的特性
| 項目 |
アルミナAl2O3 |
AlN |
誘電体
セラミックス |
| MA92W |
MA92B |
AS970 |
HA996 |
M-AlN |
S-AlN |
| 組成wt.% |
92 |
92 |
96 |
99.6 |
95 |
99 |
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| 呈色 |
白 |
紫 |
白 |
白 |
ベージュ |
ベージュ |
各色 |
| 密度［g/cm3］ |
3.6 |
3.8 |
3.7 |
3.85 |
3.3 |
3.3 |
3.0〜5.7* |
| 熱的特性 |
熱膨張率[ppm/℃]
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7 |
7.3 |
7.3 |
8.1 |
4 |
4 |
9.6〜12.3* |
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熱伝導率[w/mK]
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16 |
15 |
21.8 |
29.3 |
170 |
200 |
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| 機能的特性 |
曲げ強度[Mpa]
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320 |
300 |
320 |
400 |
450 |
250 |
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| 電気的特性 |
誘電率[1MHz]25℃
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9.0 |
9.5 |
9.4 |
9.7 |
9.0 |
9.0 |
7〜200* |
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誘電損失[1MHz]25℃
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＜0.1％ |
＜0.3％ |
＜0.03％ |
＜0.01％ |
0.04 |
0.03 |
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体積抵抗率[Ωcm]
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＞1012 |
＞1012 |
＞1014 |
＞1013 |
1014 |
1014 |
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絶縁耐力[Kv/mm]
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＞10 |
＞10 |
14 |
18 |
15 |
15 |
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*詳細物性は個別仕様参照のこと。
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■薄膜メタライズとその一般仕様
セラミックとの界面にあたる金属層は活性な金属Tiを使用し、上層にはワイヤボンド可能なAuを標準仕様としています。回路基板として、(1)高い信頼性とドライエッチングシステムによる高集積度を、(2)めっきウェットエッチングシステムによる低コストの実現を、図ります。
また各種素子の実装を考慮し薄膜共晶はんだ層、薄膜抵抗体、Via-holeも可能としております。
| 項目 |
標準仕様 |
| 基板材料 |
(1)材質
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アルミナ99.5% (Al2O3) ,アルミナ96％
誘電体基板ε8、ε3、ε17
窒化アルミニウム(AlN)
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(2)厚み
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0.1mm〜1.5mm/4mil〜60mil
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(3)ワークサイズ
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50.8mm□（2inch□），2inch×4inch□ , 3inch |
| 膜仕様 導体 |
(1)膜構成/膜厚
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| ドライエッチング |
Ti/Pt/Au=0.06/0.2/0.3μm〜2.0μm程度
Ti/Pd/Au=0.06/0.2/2.0μm〜10.0μm程度 |
| ウェットエッチング |
Ti/Pd/Au=0.06/0.2/2.0μm〜10.0μm程度 |
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| 膜仕様 抵抗体 |
(1)シート抵抗値
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25Ω/□、50Ω/□ (±20%)
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| (2)膜組成 |
窒化タンタル (Ta2N）
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| 膜仕様 ハンダ |
(1)膜構成/膜厚 |
Au/Sn 1.5μm〜10μm
Ag/Sn 1.5μm〜10μm
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| 加工仕様(薄膜回路) |
(1)最小線幅、線間 |
ドライエッチング L/S≧10μm
ウェットエッチング L/S：20μm/20μm±10μm
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| 加工仕様(機械加工) |
(1)切断精度 |
±50μm
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| 品質保証 |
検査項目 |
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(1)寸法
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測長顕微鏡
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| (2)膜厚 |
蛍光X線、表面粗さ計
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| (3)抵抗値 |
デジタルマルチメーター
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| (4)外観 |
実体顕微鏡
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(5)ワイヤー強度
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プルテスター
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■ウェットエッチング時標準仕様
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標小寸法
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A
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導体寸法
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0.02mm
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B
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パターン間隔
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0.02mm
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C
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抵抗体寸法(幅)
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0.05mm |
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D
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抵抗体寸法(長さ)
|
0.05mm
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E
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基板幅-パターン間隔
|
0.05mm
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F
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パターン-穴間隔 |
0.1mm
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G
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スルーホール-パターン間隔 |
0.1mm
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H
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スルーホール |
1.5tmm (t=板厚）
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I
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スルーホール間隔 |
0.25mm
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