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N-ZP, N-ZEP,N-ZPS, N-ZL, N-Z, N-ZA, N-ZEシリーズは、高周波EMI対策に最適なチップビーズです。インピーダンスは周波数の上昇とともにインピーダンスが上昇することによりノイズを抑制しますが、特に高周波ではインピーダンスの高周波損失による抵抗成分の増大により、伝送信号にほとんど影響なく高周波ノイズ成分を減衰させることができます。

■電源ライン用チップビーズ概要
電源ライン用チップビーズは、信号ライン用チップビーズを低Rdc化し、ノイズ成分を減衰させる働きをそのままに許容電流を大幅にアップし、ICなどの電源ラインのノイズ対策を可能にした製品です。
インピーダンス特性は、抵抗成分（R）を主体としており、電源ラインに直列に挿入することで、電源ラインからのノイズの侵入、電源ラインへのノイズの漏洩を効果的に減衰・抑制することが可能です。電源ラインの容量により、N-ZPシリーズ（～2.5Ａ）・N-ZEPシリーズ（～3.5A）とN-ZPSシリーズ（～6Ａ）をラインナップしております。

電源ライン用チップビーズ製品群

		サイズ
		1608	2012	3216
材質	N-ZP シリーズ～2.5A	N1608ZP600T15 N1608ZP121T10 N1608ZP221T15	N2012ZP600T25 N2012ZP121T25 N2012ZP221T20 N2012ZP301T20 N2012ZP501T10	N3216ZP500T25 N3216ZP121T25 N3216ZP501T25
	N-ZEP シリーズ～2.5A	N1608ZEP800T35 N1608ZEP221T10
	N-ZPS シリーズ～6A		N2012ZPS600T50 N2012ZPS800T50 N2012ZPS121T50	N3216ZPS500T60

■信号ライン用チップビーズ概要
信号ライン用チップビーズは、インピーダンス素子からトロイダルチップまでの広いインピーダンス特性範囲をSMD化したものです。インピーダンス特性として抵抗成分（R）を主体としておりますので、ノイズの伝導経路に直列に挿入することで、ノイズ成分を減衰させることができます。また、信号成分への影響を防ぐため抵抗成分（R）を4つの材質により分け、回路やノイズのあらゆる場合においてもお選びいただけるようにシリーズ化しています。
形状は、1608～3216サイズでカバーできる完全モノリシック構造のSMD型EMI対策部品です。

信号ライン用チップビーズ製品群

		サイズ
		1608	2012	3216
材質	SUPER LOW-LOSS N-ZL シリーズ	N1608ZL500T02 N1608ZL800T02 N1608ZL121T02 N1608ZL221T01 N1608ZL471T01	N2012ZL500T03 N2012ZL800T03 N2012ZL121T03 N2012ZL221T02 N2012ZL471T01
	LOW-LOSS N-Z シリーズ	N1608Z300T01 N1608Z800T01 N1608Z121T01 N1608Z301T01 N1608Z601T01 N1608Z102T01	N2012Z260T06 N2012Z800T03 N2012Z121T03 N2012Z221T02 N2012Z301T02 N2012Z601T02 N2012Z102T01 N2012Z202T01
	HIGH-LOSS N-Z,　ZA シリーズ	N1608ZA300T01 N1608ZA800T01 N1608ZA121T01 N1608ZA221T01 N1608ZA331T01 N1608ZA601T01 N1608ZA102T01 N1608ZA202T01	N2012ZA400T06 N2012ZA800T03 N2012ZA121T03 N2012ZA221T02 N2012ZA331T01 N2012ZA601T01 N2012ZA102T01 N2012ZA202T01	N3216Z800T01 N3216Z151T01 N3216Z501T01 N3216Z122T01 N3216Z202T01
	SUPER HIGH-LOSS N-ZE シリーズ	N1608ZE101T01 N1608ZE221T01 N1608ZE471T01 N1608ZE681T01	N2012ZE101T01 N2012ZE221T01 N2012ZE471T01 N2012ZE681T01 N2012ZE102T01 N2012ZE252TR5

■各シリーズ特長

・	N-ZL シリーズリアクタンス成分(X)とレジスタンス成分(R)の交差点を極端に高周波に保つことにより高Qなインピーダンス特性を持っています。 200MHz～500MHzの周波数帯域のノイズ対策に最適です。
・	N-Z シリーズ比較的広い周波数帯域で高インピーダンスを有します。 100MHz～300MHzの周波数帯域のノイズ対策に最適です。
・	N-ZA シリーズリアクタンス成分(X)を抑え、信号波形の歪み（オーバーシュート・アンダーシュートリンギング）を抑制します。　デジタル信号波形の品位低下を防止し、高周波ノイズを抑制します。
・	N-ZE シリーズリアクタンス成分(X)を極端に抑え、R とXの交差点を10MHz以下におさえました。インピーダンスの純抵抗成分により、波形のノイズ成分を熱に変換することにより減衰させます。