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チップ形積層セラミックバリスタ
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チップ形積層セラミックバリスタCVGシリーズは、高密度表面実装用として開発された各種サージ吸収用セラミックバリスタで、小型で高サージ耐量を実現するために積層構造となっています。
■特長
・ 小型で高サージ耐量を実現。
・ 酸化亜鉛系の材料を使用しており、非直線系、応答性に優れ高信頼性を有する製品です。
・ テーピングでの供給が可能で、自動マウント対応として最適です。
・ RoHS指令適合製品です。
■用途
各種半導体素子の過電圧からの保護。各種機器の誘導雷サージからの保護。
リレー、ホーン、モータ等の開閉サージや静電気サージの吸収。
使用温度範囲−40℃〜＋125℃
■形名構成
CVG
30
B
120
M
-T(B)
W
シリーズ名
形状
静電容量
B:低容量
バリスタ電圧
120 :12V
バリスタ
電圧許容差
M :±20%
包装形態
T:テーピング
B:バルク
端子電極種類
W :Ag
■形状・寸法
単位 : mm
形式
EIA記号
L
W
T
L
1
･ L
2
CVG30B
1206
3.2±0.2
1.6±0.2
〜390:1.0±0.2
470〜:1.25±0.2
0.6
+0.3
-0.2
CVG40B
1210
3.2±0.2
2.5±0.2
〜390:1.0±0.2
470〜:1.25±0.2
0.6
+0.3
-0.2
※Tはバリスタ電圧により変化します。
■品種一覧及び定格
形名
最大定格
最大制限電圧
バリスタ電圧
容量参考値
最大許容回路電圧
サージ電流耐量
エネルギー耐量
V1mA
AC.(Vrms)
DC.(V)
8/20 μs(A)
(J)
(A)
(V)
(V)
(pF)
CVG30B120M
6
8.5
80
1
1
22
12
776
CVG30B180M
9.1
12.8
32
18
518
CVG30B220M
12
16.5
40
22
423
CVG30B270M
17
22
50
27
345
CVG30B330M
20
26
60
33
282
CVG30B390M
25
30
70
39
243
CVG30B470M
28
36
83
47
207
CVG30B560M
33
43
98
56
177
CVG40B120M
6
8.5
160
2
2
22
12
1,553
CVG40B180M
9.1
12.8
32
18
1,035
CVG40B220M
12
16.5
40
22
847
CVG40B270M
17
22
50
27
690
CVG40B330M
20
26
60
33
564
CVG40B390M
25
30
70
39
487
CVG40B470M
28
36
83
47
415
CVG40B560M
33
43
98
56
353
※記載しているもの以外にも別途設計可能ですので、ご相談下さい。
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