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チップ形積層セラミックバリスタ
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チップ形積層セラミックバリスタCVGシリーズは、高密度表面実装用として開発された各種サージ吸収用セラミックバリスタで、小型で高サージ耐量を実現するために積層構造となっています。
■特長
・ 小型で高サージ耐量を実現。
・ 酸化亜鉛系の材料を使用しており、非直線系、応答性に優れ高信頼性を有する製品です。
・ テーピングでの供給が可能で、自動マウント対応として最適です。
・ RoHS指令適合製品です。
■用途
各種半導体素子の過電圧からの保護。各種機器の誘導雷サージからの保護。
リレー、ホーン、モータ等の開閉サージや静電気サージの吸収。
使用温度範囲−40℃〜＋125℃
■形名構成
CVG
30
A
120
M
-T(B)
W
シリーズ名
形状
静電容量
A:高容量
バリスタ電圧
120 :12V
バリスタ
電圧許容差
M :±20%
包装形態
T:テーピング
B:バルク
端子電極種類
W :Ag
■形状・寸法
単位 : mm
形式
EIA記号
L
W
T
L
1
･ L
2
CVG30A
1206
3.2±0.2
1.6±0.2
〜390:1.0±0.2
470〜:1.25±0.2
0.6
+0.3
-0.2
CVG40A
1210
3.2±0.2
2.5±0.2
〜390:1.0±0.2
470〜:1.25±0.2
0.6
+0.3
-0.2
※Tはバリスタ電圧により変化します。
■品種一覧及び定格
形名
最大定格
最大制限電圧
バリスタ電圧
容量参考値
最大許容回路電圧
サージ電流耐量
エネルギー耐量
V1mA
AC.(Vrms)
DC.(V)
8/20 μs(A)
(J)
(A)
(V)
(V)
(pF)
CVG30A120M
6
8.5
160
1
2
22
12
1,811
CVG30A180M
9.1
12.8
32
18
1,208
CVG30A220M
12
16.5
40
22
988
CVG30A270M
17
22
50
27
805
CVG30A330M
20
26
60
33
659
CVG30A390M
25
30
70
39
568
CVG30A470M
28
36
83
47
484
CVG30A560M
33
43
98
56
412
CVG40A120M
6
8.5
315
2
5
22
12
3,623
CVG40A180M
9.1
12.8
32
18
2,415
CVG40A220M
12
16.5
40
22
1,976
CVG40A270M
17
22
50
27
1,610
CVG40A330M
20
26
60
33
1,317
CVG40A390M
25
30
70
39
1,136
CVG40A470M
28
36
83
47
968
CVG40A560M
33
43
98
56
824
※記載しているもの以外にも別途設計可能ですので、ご相談下さい。
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