窒化ケイ素（Si3N4）
セラミック材料技術を応用して開発された窒化ケイ素製品は、高強度、高靭性、及び高熱伝導率の特性により、高信頼性要求に適した材料としてパワー半導体用基板などに使用されています。
アルミナ基板・アルミナジルコニア基板・窒化アルミニウム基板・窒化ケイ素基板特性値一覧
| 項目 | 単位 | Al2O3 | Al2O3/ZrO2 | AlN | Si3N4 | |||
| HA-96-2 | HBS | ZTA | AN-170 | SN-90 | ||||
| 材料 | - | - | 96% | 96.5% | Al2O3/ZrO2 | AlN | Si3N4 | |
| 呈色 | - | - | 白色 | 白色 | 白色 | 灰色 | 灰色 | |
| 見掛密度 | - | g/㎤ | 3.75 | 3.75 | 4.00 | 3.30 | 3.22 | |
| 表面粗さRa | - | µm | 0.4 | 0.3 | 0.2 | 0.2 | 0.4 | |
| 光反射率 | 0.3-0.4mmt | % | 70 | 70 | 80 | 35 | - | |
| 0.8-1.0mmt | 80 | 80 | 90 | 25 | - | |||
| 機械的特性 | 抗折強度 | 3点曲げ | MPa | 400 | 500 | 700 | 450 | 800 |
| ヤング率 | - | GPa | 330 | 330 | 310 | 320 | 310 | |
| ビッカース硬度 | - | GPa | 14 | 14 | 15 | 11 | 15 | |
| 破壊靭性 | IF法 | MPa･√m | 3.0 | - | 3.5 | 3.0 | 6.5 | |
| 熱的特性 | 熱膨張係数 | 40-400°C | 10-6/K | 6.7 | 6.7 | 7.1 | 4.6 | 2.6 |
| 40-800°C | 7.8 | 7.8 | 8.0 | 5.2 | 3.1 | |||
| 熱伝導率 | 25°C | W/(m･K) | 24 | 24 | 27 | 180 | 85 | |
| 300°C | 12 | 12 | 16 | 120 | - | |||
| 比熱 | 25°C | J/(㎏･K) | 750 | 750 | 720 | 720 | 680 | |
| 電気的特性 | 誘電率 | 1MHz | - | 9.8 | 9.8 | 10.2 | 8.5 | 7.8 |
| 誘電損失 | 1MHz | 10-3 | 0.2 | 0.2 | 0.2 | 0.3 | 0.4 | |
| 体積固有抵抗 | 25°C | Ω･㎝ | >1014 | >1014 | >1014 | >1014 | >1014 | |
| 絶縁破壊電圧 | DC | ㎸/㎜ | >15 | >15 | >15 | >15 | >15 | |
特性値
製品一覧
窒化ケイ素基板
放熱基板、パワーエレクトロニクス回路基板
関連情報
-
製品の関連情報をご覧いただけます。
-
アルミナ基板・アルミナジルコニア基板・窒化アルミニウム基板・窒化ケイ素基板特性一覧表
Home